Elektronik & Halbleiter
Herstellung是elektronischer Komponenten毛皮Medizin——死亡,传感器和Unterhaltungselektronikmarkte
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科技Keramiken·冯·圣戈班了贝der Herstellung冯Elektronikkeramik verwendet, darunter Aluminiumoxid-Substrate, Kondensatoren,铁氧体,钛酸,格拉斯,石英和Kristalle。Hexoloy®gesinterte Siliziumcarbid-Strukturkeramik将贝der Herstellung冯Halbleiterkomponenten和dunnen层verwendet,死冯Siliziumcarbid-Sputtertargets abgeschieden了。
常见问题解答
Abscheidung hochreiner SiC-Dunnschichten麻省理工学院Hexoloy®SG Siliciumcarbid-Sputtertargets吗?
Hexoloy®SG elektrisch leitfahiges Siliziumcarbid萤石毛皮DC-Magnetron-SiC-Sputtertargets verwendet了。
Siliziumcarbid-Dunnfilmbeschichtungen信德optisch透明,abrieb——和korrosionsbestandig temperaturstabil和您ausgezeichnete Haftung auf静脉Vielzahl冯Substraten。吧台Anwendungen gehoren optische Daten——和magnetische Festplatten,哈特Schutzschichten Flachglas汪汪汪和leitfahige奥得河dampfsperrende Beschichtungen。Hervorragende Warmeleitfahigkeit, Korrosionsbestandigkeit和Harteeigenschaften fordern死Hervorragende Leistung和Stabilitat Hochtemperaturumgebungen。
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Hexoloy®SA gesintertes Siliziumcarbid将贝der Herstellung冯Komponenten毛皮死Bearbeitung冯Halbleiterwafern verwendet,是不是z。b . Vakuumspannvorrichtungen chemisch-mechanische Polierblocke (CMP)和Suszeptoren。塞纳河的Silizium angepasste thermische Ausdehnung,盛(hoh Elastizitatsmodul,塞纳河chemische Inertheit gewahrleisten死wirtschaftlichen Vorteile der Wartung和Wiederverwendung,和塞纳河hohe Warmeleitfahigkeit sorgt毛皮一杯gleichmaßige和schnelle Erwarmung Siliziumwafers。
Hexoloy®SA Siliciumcarbid将军队Sintern冯Siliciumcarbidpulver im Submikronbereich hergestellt。Der Sinterprozess fuhrt祖茂堂einem selbstgebundenen feinkornigen (wenig als 10μm) SiC-Produkt, das好多hart•莱克特说和porenarm坚持。Hervorragende Formbarkeit和Bestandigkeit对战Korrosion侵蚀,hohe Temperaturen和Temperaturschocks信德weitere wichtige Vorteile。
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Elektronikkeramik是积分Bestandteil zahlreicher Gerate是不是电脑,drahtlose Kommunikation,汽车,和Industriesteuerungen的Schalter。Hochleistungs-Feuerfestprodukte·冯·圣戈班halten nachweislich窝extremen Anforderungen贝der Herstellung elektronischer Komponenten立场。
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Halbleiter-Wafer-Herstellung
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Thermoprozesse
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